高性能金属

4N5精铟

铟产业链基石，纯度99.995%

采用酸浸、除杂提纯、置换反应与电解精炼四步工艺，产出纯度99.995%的4N5精铟，杂质中锡（Sn）控制在10ppm以内，Tl、Cd等控制在5ppm以内。已有产

贵金属靶材

金靶材及金颗粒

金、银、铂等贵金属溅射靶材

铜及铜合金管材

铜及铜合金管材系列

紫铜管、黄铜管、白铜管等各类铜及铜合金管材

难熔金属靶材

高纯钼及钼合金靶材

钨、钼、钽、铌等难熔金属及合金溅射靶材

纳米氧化铟粉末

纯度≥99.99%，BET≥6m²/g

采用先进工艺突破湿法团聚瓶颈，稳定量产高纯度纳米氧化铟粉末，纯度≥99.99%，BET比表面积≥6m²/g，粒度分布均匀、分散性优异。是制备ITO靶材与透明导电

银靶及银颗粒

高纯银靶材及银颗粒

高纯银靶材及银颗粒，用于Low-E玻璃镀膜、电极制备等。

高纯钼棒/钼电极

高纯钼棒及钼电极

高纯钼棒、钼电极产品，用于高温炉、电光源、真空镀膜等工业领域。

高纯铜排

高纯铜排系列

高纯无氧铜排，广泛应用于电气、电子行业

高纯金属材料

高纯金属材料系列

高纯金属材料研发、生产及应用全产业链服务

纳米氧化锡粉末（SnO₂）

纯度≥99.99%，BET≥6m²/g

纯度≥99.99%的纳米二氧化锡粉末，BET比表面积≥6m²/g，粒径可控、杂质含量远低于YS/T 1225-2018标准的4N参考值。广泛应用于ITO靶材、透

高纯无氧铜排

高纯无氧铜排

高纯无氧铜排，截面积16000mm²以下，宽度420mm以内。铜含量高、电阻率低、过载能力强、晶粒细密均匀。可提供T1、T2、T3牌号铜排。

铂靶及铂颗粒

高纯铂靶材及铂颗粒

高纯铂靶材及铂颗粒，用于催化电极、传感器等高端应用。

高纯钨-钼颗粒

高纯钨钼颗粒材料

高纯钨、钼颗粒材料，用于热喷涂、粉末冶金等应用。

高纯无氧铜锭

高纯无氧铜锭

采用智能熔炼系统生产的高纯无氧铜锭，产品质量稳定性和一致性得到有效保障，氧含量可控制在1ppm以下，杂质铋含量控制在1ppm以下。

ITO粉末

In₂O₃/SnO₂比例可定制

支持定制In₂O₃与SnO₂配比的ITO粉末，是制备高性能ITO靶材的核心组分，直接决定靶材的电学与光学性能。同时拓展应用于透明导电油墨、电子浆料、气体传感器与

异形铜排

定制异形铜排

可生产截面积16000mm²范围内的软态或硬态铜排、棒产品。截面形状多样，尺寸精确，可按客户图纸定制各种复杂断面型材。

钌靶及钌颗粒

高纯钌靶材及钌颗粒

高纯钌靶材及钌颗粒，用于半导体阻挡层、数据存储等。

各类型高温制品

难熔金属高温制品

采用钨、钼、钽、铌等难熔金属制造的高温制品，用于高温炉、真空炉等设备。

ITO靶材

面板显示核心材料，纯度≥4N5

纯度≥4N5、密度≥99.5%理论密度，旋转靶材利用率超70%，纯度与密度指标国内领先。已通过京东方、华星光电、惠科等主流面板厂认证，广泛应用于LCD/OLED

高纯无氧铜杆

高纯无氧铜杆

高纯无氧铜杆，直径8-35mm，最大单重6吨，铜纯度≥99.99%，氧含量≤0.001%。用于电力传输、电子工业、超导材料等领域。

显示类高纯钼及合金靶

显示面板用钼靶材

TFT-LCD显示面板用高纯钼及钼合金靶材，适用于高世代线溅射镀膜。

IGZO靶材

电子迁移率15cm²/V·s，对标国际顶尖

高性能结晶IGZO靶材，电子迁移率达15cm²/V·s，性能对标国际顶尖水平，是国内少数可稳定供应高世代线的厂商。深度受益于国产替代与新型显示技术发展，应用于高

高纯无氧铜板

高纯无氧铜及铜合金板

高纯无氧铜及铜合金板，铜纯度≥99.99%，氧含量≤5ppm，具有优异的导电性、导热性、耐腐蚀性。合金产品可定制。

装饰-工模镀Cr-CrAl-TiSi靶

装饰及工模镀铬基靶材

装饰镀膜和工模具镀膜用高纯Cr、CrAl、TiSi等靶材，成分均匀，晶粒尺寸小于50μm。

TCOM无铟靶材

无铟透明导电氧化物靶材

TCOM无铟靶材以非铟透明导电氧化物体系实现高性能导电薄膜，降低对铟资源的依赖，纯度≥4N、密度≥7.1，主要性能指标达到行业先进水平，适用于新型显示与触控领域

高纯无氧铜带

高纯无氧铜及铜合金带

高纯无氧铜及铜合金带，铜纯度≥99.99%，氧含量≤5ppm，用于开关、插座、变压器、电路板基板、连接器、散热器等。

OMHT高效靶材

高效透明导电氧化物靶材

OMHT高效靶材针对高效透明导电应用优化，纯度≥4N、密度≥6.9，电阻率≤200×10⁻³Ω·cm，晶粒尺寸≤5μm，表面粗糙度≤0.8μm，可提供高致密度与

铜棒

铜棒系列

铜棒是有色金属加工棒材的一种，具有较好的加工性能和高导电性能。主要分为黄铜棒、紫铜棒，广泛应用于工业、建筑、电子、汽车等领域。

RPD/IZO靶材

RPD镀膜与IZO掺锆氧化物靶材

RPD靶材与IZO（掺锆氧化铟）靶材覆盖多种透明导电场景：RPD靶材纯度≥4N、密度≥6.8，用于钙钛矿与高端叠层电池；IZO靶材纯度≥4N、密度≥5.58，锡

GZO/AGZO靶材

掺镓/铝掺杂氧化锌靶材

GZO（掺镓氧化锌）与AGZO（铝掺杂氧化锌）靶材纯度≥4N、密度≥7.1，电阻率≤0.3×10⁻³Ω·cm，晶粒尺寸≤5μm，是低成本、高性能的透明导电氧化物

无氧铜管

无氧铜管

无氧铜管，铜纯度≥99.99%，氧含量≤5ppm，适用于电子、制冷、海洋工程等。

精密陶瓷结构件

半导体设备用耐腐蚀耐高温结构件

采用高纯度氧化铝、氧化锆等先进陶瓷，经精密成型与烧结工艺制造，具备卓越的耐腐蚀性与耐高温性。产品用于刻蚀机、PVD/CVD设备的腔室内衬、静电卡盘（ESC）及绝

紫铜管

紫铜管系列

紫铜管（T1、T2、TP2），含铜量≥99.90%，适用于制冷、空调、热交换器等。

7N高纯铟

纯度99.99999%，极限提纯

采用“真空蒸馏-定向结晶-区域熔炼”组合工艺，结合自主研发除杂技术，实现产品纯度稳定达到7N级（99.99999%），质量指标国际领先。是磷化铟单晶、高端红外探

耐蚀白铜管

白铜管系列

白铜管以铜镍合金为基，涵盖BFe10-1-1、BZn15-20等牌号，具有优异的耐海水腐蚀性能，用于海洋工程、化工行业等。

铟丝

低温焊接关键耗材，规格φ0.5mm以上

铟丝熔点低（156.6°C）、延展性高，在低温下具备良好焊接性能，是半导体器件低温焊接与真空密封工艺的关键耗材，也广泛用于电子封装。产品纯度4N5-7N，规格φ

铟箔

精密密封优选材料，厚度0.1mm以上

铟箔良好延展性与密封性，可加工成极薄片材，是电子封装垫片、涂层及半导体器件的优选材料，也用作热界面材料（TIM）。产品纯度4N5-7N，厚度0.1mm及以上、尺

铟球

先进封装前沿原料，规格φ1-3mm

铟球/铟珠为精密“微焊球”，可实现芯片与基板的可靠连接，是先进芯片封装微焊球与高性能金属3D打印的前沿原料。产品纯度4N5-7N，规格φ1-3mm类球形，产能2

液态金属

InGaAg/InGaSn合金，低熔点高导热

液态金属合金（InGaAg、InGaSn）具有低熔点、高流动性与高导热系数，可填充不规则表面降低接触热阻。应用于CPU/GPU散热（替代硅脂）、柔性热界面材料（