集成电路靶材
欧莱新材集成电路靶材涵盖铜Cu、铝Al、钛Ti、钽Ta、钴Co等半导体用高纯溅射靶材，纯度≥99.999%，晶粒尺寸细小均匀，取向一致性高，广泛应用于晶圆制造、封装、功率半导体(IGBT、MOSFET)、5G滤波器、MEMS传感器、第三代半导体(GaN，SiC)、红外光学、半导体显示领域等。
产品列表
共 6 款产品
高纯铜靶（Cu靶）
欧莱铜靶材具有纯度高、氧含量低、晶粒尺寸小等突出优势。
欧莱铜靶材具有纯度高、氧含量低、晶粒尺寸小等突出优势。
高纯铝及合金 Al/AlSi/AlCu/AlSiCu
半导体芯片用高纯铝及合金溅射靶材，纯度≥5N5，晶粒尺寸平均≤100μm。
半导体芯片用高纯铝及合金溅射靶材，纯度≥5N5，晶粒尺寸平均≤100μm。
钛靶（Ti靶）
半导体芯片阻挡层用钛溅射靶材，高纯度、高致密度
半导体芯片阻挡层用钛溅射靶材，高纯度、高致密度
钽靶（Ta靶）
半导体芯片铜互连扩散阻挡层用钽溅射靶材
半导体芯片铜互连扩散阻挡层用钽溅射靶材
钴靶（Co靶）
半导体芯片接触层用钴溅射靶材，适用于先进制程
半导体芯片接触层用钴溅射靶材，适用于先进制程
磷铜阳极
高纯磷铜阳极材料
集成电路电镀用高纯磷铜阳极，磷含量均匀，溶解性能优异，适用于先进封装电镀工艺。
